S2M0016120D_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:85A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），作為一款N溝道器件，其額定參數(shù)為：連續(xù)漏極電流85A，漏源極擊穿電壓1200V。該器件擁有低至16毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），有助于減少能量損耗并提高效率。其工作柵源電壓范圍為-4到!5V，確保了穩(wěn)定的操作性能。此款MOSFET適用于需要高效電力轉(zhuǎn)換和管理的設(shè)備中，例如用于可再生能源系統(tǒng)的逆變器、服務(wù)器電源以及各類高要求的電子系統(tǒng)，支持緊湊設(shè)計同時保證高性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
