IMW120R045M1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）具備55A的連續排水電流（ID），支持最高1200V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為40毫歐，在導通狀態下的能量損耗較低。作為一款N溝道器件，它擁有18V的柵源電壓（VGS），確保了精確的控制信號響應。適用于要求苛刻的電源管理系統，例如在消費電子產品中的高效能電源轉換電路，以及復雜電子設備中的穩壓模塊。
