IMW120R045M1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:55A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:40mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)具備55A的連續排水電流(ID),支持最高1200V的漏源電壓(VDSS)。其導通電阻(RDSON)為40毫歐,在導通狀態下的能量損耗較低。作為一款N溝道器件,它擁有18V的柵源電壓(VGS),確保了精確的控制信號響應。適用于要求苛刻的電源管理系統,例如在消費電子產品中的高效能電源轉換電路,以及復雜電子設備中的穩壓模塊。
