NTH4L075N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有29A的最大導(dǎo)通電流（ID），適用于需要高效能電流處理的應(yīng)用。其漏源電壓（VDSS）最高可達(dá)650V，適合用于需要承受較高電壓的工作環(huán)境中。導(dǎo)通電阻（RDSON）為60毫歐，有助于降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。柵源電壓（VGS）的最大值為15V，提供了可靠的柵極驅(qū)動(dòng)范圍。憑借這些特性，此MOSFET是高頻開關(guān)電源以及其他需要緊湊設(shè)計(jì)與高性能表現(xiàn)的電路解決方案中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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