IMW65R048M1H_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:49A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:33mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備穩(wěn)健的電氣性能,連續(xù)導(dǎo)通電流ID可達(dá)49A,適用于多種高電流密度的設(shè)計(jì)。其最大漏源擊穿電壓VDSS為650V,確保了在高壓應(yīng)用中的可靠性。該器件擁有較低的導(dǎo)通電阻RDSON,僅為33毫歐,有助于減少熱損耗,提高系統(tǒng)效率。柵源電壓VGS的閾值范圍是-5V至@0V,便于實(shí)現(xiàn)精確的開關(guān)控制。此MOSFET可廣泛應(yīng)用于需要高效率及高可靠性的電子裝置中,如高頻開關(guān)電源和其他注重性能穩(wěn)定性的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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