NTH4L160N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，其最大導通電流ID為19A，在保證安全工作的前提下，能夠承受的最大漏源電壓VDSS為1200V。該器件的導通電阻RDSON僅為160毫歐，有助于減少能量損耗。其柵源電壓VGS的最大值為20V，確保了良好的開關性能。此MOSFET適用于需要高電壓處理能力和低電阻特性的電子設計中，能夠在多種電路條件下提供可靠的電流控制功能。
