TW048Z65C_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有49A的連續(xù)漏極電流(ID)能力和650V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要高電壓處理能力的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻為33mΩ(RDON)，有助于降低系統(tǒng)功耗并提高能效。柵源電壓范圍從-5V到@0V(VGS)，提供了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性和靈活性。該MOSFET適合應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、逆變器設(shè)計(jì)以及其他要求快速開關(guān)速度和可靠性能的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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