SCT055W65G3-4AG_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)的最大漏極電流為29A，能夠承受高達650V的漏源電壓，適用于需要處理高電壓的應用場合。其導通電阻僅為60mΩ，有助于降低功耗并提高系統效率。柵源電壓范圍為-15V至!5V，確保了廣泛的驅動兼容性。此MOSFET適合用于要求高效能、低能耗及穩定性的電源管理、逆變器以及其他高壓電子設備中。
