TW140N120C,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:17A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具備17A的最大漏極電流（ID），并且能夠承受高達1200V的漏源電壓（VDSS），適合應用于需要高電壓穩定性的電路設計中。其導通電阻（RDSON）為160毫歐，有助于減少能量損失。該器件的柵源電壓（VGS）工作范圍是-4V至!8V，提供了靈活的操作區間。憑借其出色的電氣性能，此碳化硅MOSFET是實現高效電源轉換及精密控制的理想選擇，在多種電子設備中均能發揮關鍵作用。
