TW048N65C_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:49A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:33mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)屬于N溝道類型,具有49A的連續漏極電流(ID)處理能力,在阻斷電壓(VDSS)方面能達到650V。其導通電阻(RDSON)僅為33毫歐,這表明在導通狀態下,該器件能有效降低電力損耗。柵源電壓(VGS)范圍從-5V到@0V,確保了寬泛的工作條件下的可靠性。這些特性使其適用于需要高效能、高耐壓與快速開關特性的電子設備中,特別是在要求嚴苛的電源管理和轉換應用中表現出色。
