NTH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)擁有120A的連續漏極電流(ID/A),并且設計有650V的漏源擊穿電壓(VDSS/V)。其導通電阻(RDSON/mR)低至15毫歐姆,在15V的柵源電壓(VGS/V)下表現出色。憑借其低損耗特性,該MOSFET適用于高功率密度轉換應用,例如高性能的開關模式電源、不間斷電源系統等,能夠在高頻開關應用中實現高效能和熱穩定性,從而優化電力轉換效率。
