TW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:27A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:60mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
碳化硅場效應管(MOSFET)是一款基于先進材料技術的高性能開關元件,適用于高效率電力轉換應用。該N溝道器件的最大 drain-source 持續電流(ID)可達27安培,支持650伏特的drain-source擊穿電壓(VDSS),確保在高壓環境中穩定工作。其導通電阻(RDON)低至60毫歐,在降低傳導損耗的同時提高了能量轉換效率。器件的工作柵源電壓(VGS)范圍為-8至!9伏特,提供了寬泛的操作靈活性。碳化硅MOSFET憑借其優異的電氣特性,非常適合用于緊湊型電源供應器、可再生能源系統以及需要高效能和快速響應的電子設備中。
