AIMZH120R160M1T_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:19A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:160mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)是一款N溝道器件,具備19A的連續漏極電流(ID)能力和1200V的漏源電壓(VDSS)。其導通電阻僅為160mΩ(RDON),能夠有效降低系統能耗,提高效率。柵源電壓(VGS)為20V,確保了良好的驅動性能和可靠性。該產品適用于需要高電壓、大電流處理能力的應用場景,如高效電源轉換、逆變器及開關電路設計等,是追求高性能與可靠性的理想選擇。
