AIMZH120R160M1T_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)是一款N溝道器件，具備19A的連續漏極電流(ID)能力和1200V的漏源電壓(VDSS)。其導通電阻僅為160mΩ(RDON)，能夠有效降低系統能耗，提高效率。柵源電壓(VGS)為20V，確保了良好的驅動性能和可靠性。該產品適用于需要高電壓、大電流處理能力的應用場景，如高效電源轉換、逆變器及開關電路設計等，是追求高性能與可靠性的理想選擇。
