SCTW60N120G2_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:55A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:40mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)具備優(yōu)秀的電氣特性,其連續(xù)電流ID可達55A,最大漏源電壓VDSS為1200V。導通電阻RDSON僅為40毫歐,有助于減少導通損耗,提高效率。該MOSFET為N溝道類型,柵源電壓VGS的最大值為18V,適用于需要高電壓、大電流及高效能轉(zhuǎn)換的應用場合,如高性能電源供應器、可再生能源系統(tǒng)中的逆變技術以及便攜式充電設備等,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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