NVH4L160N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅場效應管（MOSFET）具有N溝道結構，其設計允許最大連續 drain 電流（ID）為 19A，并且能夠承受高達 1200V 的漏源電壓（VDSS）。該器件的導通電阻（RDSON）為 160毫歐，在柵源電壓（VGS）達到 20V 時提供穩定的開關操作。這些特性使其非常適合用于需要高效率與可靠性的電子設備中的電源轉換和管理電路。
