HC1M60120D_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:40A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:60mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)具有40A的連續(xù)電流承載能力(ID),最大漏源電壓(VDSS)可達1200伏特,適用于需要高電壓處理能力和良好熱穩(wěn)定性的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻(RDON)僅為60毫歐姆,在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠有效降低功耗,提高系統(tǒng)的整體效率。作為一款N溝道類型器件,它能夠在邏輯電平驅(qū)動下工作,適合用于高性能開關(guān)電源、太陽能逆變器以及其他要求嚴(yán)苛的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,提供快速的開關(guān)響應(yīng)與可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
