HC3M0120090D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:22A 參數2:電壓VDSS:900V 參數3:RDON:120mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)是一款N溝道器件,具有22A的連續電流承載能力(ID),最大漏源電壓(VDSS)可達900V,導通電阻(RDON)僅為120毫歐。這些特性使得它非常適合用于要求高效率與高頻率操作的應用中。其低導通電阻有助于減少導通狀態下的損耗,而高的擊穿電壓則確保了在高壓環境下的穩定性和可靠性。適用于設計需要緊湊型高性能電力轉換解決方案的場合。
