HC1M40120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:68A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET），型號ID:68A，具有1200V的VDSS（漏源電壓），適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)計。作為一款N溝道MOSFET，其RDON（導通電阻）僅為40毫歐姆，這意味著在導通狀態(tài)下的電力損耗極低，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET適合應用于要求高效率與可靠性的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備中，比如高性能的電源供應單元、便攜式電子設(shè)備的充電解決方案等，特別是在需要高頻操作與優(yōu)異熱性能的場合下表現(xiàn)突出。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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