HC3M0021120K_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)有100A的額定電流（ID），可承受最大1200V的漏源電壓（VDSS）。其顯著特點(diǎn)是擁有低至21毫歐的導(dǎo)通電阻（RDON），這有助于大幅度減少電力損耗，增強(qiáng)系統(tǒng)效率。此元件適用于多種高頻率開關(guān)應(yīng)用場合，比如便攜式電子設(shè)備的充電解決方案，或是服務(wù)器端的電源供應(yīng)單元，均能體現(xiàn)出其在高壓高頻環(huán)境下的優(yōu)良表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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