HC1M40120J_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263-7L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:800/圓盤 參數(shù)1:電流ID:68A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:40mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)具有68A的最大電流承載能力(ID),能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓(VDSS),展現(xiàn)出了卓越的耐壓性能。其導(dǎo)通電阻(RDSON)僅為40毫歐,意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下能有效減少能量損耗,提升系統(tǒng)的整體效率。作為一款N溝道類型器件,它適用于要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換場景中,如高性能計(jì)算設(shè)備的電源模塊、消費(fèi)電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源等,能夠提供可靠的高頻開關(guān)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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