HC1M30065D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:97A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道類型，具備高達97A的電流處理能力（ID），并能承受最高650V的漏源電壓（VDSS）。其出色的導通電阻（RDON）僅為30毫歐，這意味著在導通狀態下能夠顯著降低能量損耗，提高整體系統的效率。該器件憑借其優良的電氣特性，在高頻開關電源、可再生能源系統以及需要高效能電力調節的應用中展現了良好的適用性，為設計者提供了實現高性能電力轉換的堅實基礎。
