IRF530NPBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:電流ID:17A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:80mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有穩定的電氣特性,其最大漏源電流(ID)為17安培,能夠在高頻率和高速切換的應用中保持良好的性能。在10伏特的測試條件下,導通電阻(RDSON)僅為80毫歐姆,有助于減少能量損耗。器件的最大漏源電壓(VDSS)為100伏特,表明它可以安全地工作在較高的電壓環境下。柵源電壓(VGS)的最大額定值為20伏特,便于驅動控制。此MOSFET適用于消費電子設備中的電源轉換和負載開關等場合,如個人電子裝置及家用電器的電路保護與效率提升。
