IRFZ44NPBF_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)緊湊，具備出色的電氣性能。其最大漏源電流（ID）可達(dá)25安培，在10伏特下的導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為12毫歐姆，有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗。該器件的最大漏源電壓（VDSS）為60伏特，能夠承受較高電壓的應(yīng)用環(huán)境，同時(shí)，柵源電壓（VGS）的最大值為20伏特，提供了寬泛的操作范圍。此MOSFET適用于各種電子設(shè)備中的電源管理與信號(hào)控制，如便攜式電子產(chǎn)品、消費(fèi)類電器等，是高性能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
