HXYG130N06D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:130A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
【HXYG130N06D 場效應(yīng)管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，支持130A的最大漏極電流和60V的漏源電壓，導通電阻低至3mΩ。此N溝道MOSFET在20V柵源電壓下展現(xiàn)出色的開關(guān)性能和低損耗，適用于高效電源管理和信號控制電路，確保電路的高性能與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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