HXY30G25DF_DFN3X3B-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:25A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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【HXY30G25DF 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)】采用DFN3X3-8L封裝，支持25A的最大漏極電流和30V的漏源電壓，導(dǎo)通電阻低至12mΩ。此N溝道MOSFET在20V柵源電壓下具有優(yōu)異的開關(guān)特性和低損耗，適用于各種電源管理和信號(hào)處理電路，確保電路的高效與穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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