HXY150N03D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
HXY150N03D 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 150A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 1.5mΩ 的低導(dǎo)通電阻 (RDON)，有助于顯著降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在多種電路中的穩(wěn)定性能。N 溝道設(shè)計，適用于廣泛的開關(guān)控制和電路保護(hù)應(yīng)用。選擇 HXY150N03D，為您的項目提供高性能保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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