4N50_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:4A 參數2:電壓VDSS:500V 參數3:RDON:2400mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
【4N50 場效應管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝,具備4A的最大漏極電流和500V的漏源耐壓,低至2.4mΩ的導通電阻確保了高效能表現。該N溝道MOSFET在30V柵源驅動電壓下展現優異的開關速度與穩定性,適用于多種電路保護和電源轉換應用,是精密電子項目中的理想選擇。
