HXY50N20P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:200V 參數3:RDON:50mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
【HXY50N20P 場效應管(MOSFET)】采用TO-220C封裝,支持50A的最大漏極電流和200V的漏源電壓,導通電阻為50mΩ。此N溝道MOSFET在20V柵源電壓下具有出色的開關性能和低損耗特性,廣泛適用于電源轉換、電路控制等應用,確保高效能與高可靠性。
