HXY6005MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:40mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
HXY6005MI 場效應管 (MOSFET),采用 SOT-23-3L 封裝,提供 5A 的連續漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 40mΩ 的導通電阻 (RDON),有助于降低能耗,提高效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),確保在不同電路條件下的穩定性和可靠性。N 溝道設計,適用于多種開關控制和電路保護應用。選擇 HXY6005MI,為您的項目提供高效能保障。
