HXY30N03D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY30N03D 場效應管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 30A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 30V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 9mΩ 的低導通電阻 (RDON)，可有效減少能量損失，提高轉換效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同的電路應用中保持穩(wěn)定性能。N 溝道設計，適用于多種電路保護和開關控制場景。選擇 HXY30N03D，為您的項目提供高效能解決方案。
