HXY60P02DF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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HXY60P02DF 場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 DFN3X3-8L 封裝，提供 60A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 20V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 7mΩ 的低導(dǎo)通電阻 (RDON)，有助于降低功耗，提高轉(zhuǎn)換效率。支持 ±12V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定性和可靠性。P 溝道設(shè)計(jì)，適合于各種精密電路控制需求。選擇 HXY60P02DF，體驗(yàn)高性能電子組件的卓越表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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