HXY70N04NF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
HXY70N04NF 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用緊湊的 DFN5X6-8L 封裝，提供 55A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 40V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。該器件具有僅 7.5mΩ 的低導(dǎo)通電阻 (RDON)，有效降低能量損耗，提升系統(tǒng)效率。支持 ±20V 柵源電壓 (VGS)，確保在不同應(yīng)用場景下穩(wěn)定運行。HXY70N04NF 是高效率電路設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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