HXY15N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:100mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY15N10D 場效應管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，具有出色的電氣特性。此款 N 溝道 MOSFET 支持高達 15A 的連續漏極電流 (ID) 和 100V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)，同時擁有 100mΩ 的低導通電阻 (RDON)，確保高效能表現。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±20V，適合用于各種精密電路設計中的開關和信號放大。選擇 HXY15N10D，體驗高品質電子組件帶來的便捷與可靠。
