HXY15N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:15A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:100mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
HXY15N10D 場效應管 (MOSFET),采用 TO-252-2L 封裝,具有出色的電氣特性。此款 N 溝道 MOSFET 支持高達 15A 的連續漏極電流 (ID) 和 100V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS),同時擁有 100mΩ 的低導通電阻 (RDON),確保高效能表現。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±20V,適合用于各種精密電路設計中的開關和信號放大。選擇 HXY15N10D,體驗高品質電子組件帶來的便捷與可靠。
