HXY60N02BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY60N02D 場效應管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 60A 的連續漏極電流 (ID) 和 20V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導通電阻 (RDON) 低至 6mΩ，有助于顯著降低功耗，提高效率。支持 ±12V 的柵源電壓 (VGS)，確保在各種電路中的穩定性能。N 溝道設計，適用于廣泛的開關控制和電路保護應用。選擇 HXY60N02D，為您的項目提供高效能的解決方案。
