FQD2N60CTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:2A 參數2:電壓VDSS:600V 參數3:RDON:3700mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有2A的連續電流承載能力,最大漏源電壓(VDSS)可達600V,展現了其在高壓環境下的可靠性。其導通電阻(RDSON)僅為3700毫歐,在導通狀態下能夠有效減少能量損耗。該MOSFET的柵源電壓(VGS)最大為±30V,提供了良好的驅動兼容性。適用于多種通用電子設備中的電源管理和信號處理應用,如便攜式電子產品、消費類電器及通信設備中,能夠實現高效的功率轉換與控制。
