FQD2N60CTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:600V 參數3：RDON:3700mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有2A的連續電流承載能力，最大漏源電壓（VDSS）可達600V，展現了其在高壓環境下的可靠性。其導通電阻（RDSON）僅為3700毫歐，在導通狀態下能夠有效減少能量損耗。該MOSFET的柵源電壓（VGS）最大為±30V，提供了良好的驅動兼容性。適用于多種通用電子設備中的電源管理和信號處理應用，如便攜式電子產品、消費類電器及通信設備中，能夠實現高效的功率轉換與控制。
