IRF730PBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:5.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:400V 參數(shù)3：RDON:920mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有5.5A的最大導(dǎo)通電流ID，漏源擊穿電壓VDSS為400V，適用于需要高電壓隔離的應(yīng)用場合。其導(dǎo)通電阻RDSS低至0.92Ω，有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提高系統(tǒng)的能源利用效率。該MOSFET支持最大±30V的柵源電壓VGS，便于集成到不同類型的電路設(shè)計中。此元件適合應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品的電源管理模塊、便攜設(shè)備的電池保護(hù)電路以及各類電子玩具和智能家居設(shè)備中，作為高效的開關(guān)或調(diào)節(jié)組件使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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