HXY20P09MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:9A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
【HXY20P09MI 場效應管】采用SOT-23-3L封裝，提供高效能的開關解決方案。該MOSFET最大漏極電流達9A，擊穿電壓為20V，導通電阻僅為13mΩ，確保了低損耗與高穩(wěn)定性。其柵極閾值電壓為12V，適用于要求嚴苛的應用場景，如電源管理及信號處理等。類型為P溝道，適合多種電路設計需求。選購HXY20P09MI，體驗卓越性能與可靠性的完美結合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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