CRG50T60AK3HD_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）與650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有效降低導通損耗，提升整體能效。內部反并聯二極管可承受50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.45V，表現出良好的開關性能與熱穩定性。模塊設計注重可靠性與耐久性，適合應用于高效電源轉換、智能能源管理系統及高性能電子設備中。
