LKB40N120MF1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于高電壓和較高電流的工作環境。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V，有助于降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的反向恢復特性。模塊采用可靠封裝工藝，適用于需要穩定性和高效能的應用場景，如電力變換、智能電網設備及精密儀器等領域。
