LKB40N65TF2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.65V 參數4:二極管正向電流:2.2A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備40A集電極電流(Ic)和650V集射極擊穿電壓(Vces),適用于多種中高功率應用場景。導通時集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,有效降低導通損耗,提升系統效率。內置二極管可承受40A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為2.2V,提供穩定續流能力。器件適合用于電源變換、電機控制及高頻開關設備,在復雜電氣環境中表現出良好的穩定性與耐久性,滿足多樣化設計需求。
