APT50GR120B2-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊集電極電流（Ic）為50A，集射極擊穿電壓（Vces）可達1200V，具備較高的耐壓能力，適合中高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在導通狀態下能保持較好的能效表現。內置二極管可承受50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.7V，適用于對穩定性與開關性能有一定要求的電路設計。
