APT50GF120B2RG-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.7A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊，具備50A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），可支持高功率應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于降低導通損耗并提升系統效率。內置二極管可承受50A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.7V，確保在高頻開關條件下穩定運行。該器件適用于需要高效能與高可靠性的電力電子系統，如智能電網、可再生能源轉換及精密電機控制等領域。
