IXXX160N65B4-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247P 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:160A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.37V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.33A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備160A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適合用于中高功率電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.37V,有助于降低導(dǎo)通損耗,提高能效。內(nèi)置續(xù)流二極管支持160A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.33V,表現(xiàn)出良好的電流承載能力和較低的損耗特性。該模塊適用于電源變換、能量管理及高效電子設(shè)備,可滿足高頻開關(guān)與穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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