IXXX200N65B4-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:160A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.37V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.33A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款I(lǐng)GBT管/模塊具備160A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高功率場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.37V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可支持160A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.33V，性能穩(wěn)定，適合多種高要求電路設(shè)計應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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