IXYX120N120C3-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:140A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.55V 參數(shù)4：二極管正向電流:2.01A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備140A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可穩(wěn)定工作于較高功率應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.55V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)部續(xù)流二極管支持140A正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為2.01V，表現(xiàn)出良好的反向恢復(fù)特性。該模塊適用于需要高效能開關(guān)與耐高壓能力的電力電子系統(tǒng)，如電源變換器、儲(chǔ)能設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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