IXYX120N120C3-HXY_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247P 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:140A 參數(shù)2:電壓VCE:1200V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.55V 參數(shù)4:二極管正向電流:2.01A 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT模塊具備140A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),可穩(wěn)定工作于較高功率應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.55V,有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)部續(xù)流二極管支持140A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為2.01V,表現(xiàn)出良好的反向恢復(fù)特性。該模塊適用于需要高效能開關(guān)與耐高壓能力的電力電子系統(tǒng),如電源變換器、儲(chǔ)能設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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