RGSX5TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備75A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統。其集射極飽和壓降為1.6V，在導通狀態下可有效控制能量損耗。內置二極管支持75A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好熱穩定性和快速恢復特性。該器件適合用于電源轉換、電機控制、儲能裝置及智能電力管理系統，滿足對效率、可靠性和集成度有較高要求的電路設計應用需求。
