APT70GR65B-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:75A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備75A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V,有效降低導通損耗,提升系統效率。內置二極管支持75A的正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的反向恢復特性。該器件可廣泛應用于電源變換器、電機驅動、儲能系統及智能電網等場景,滿足高效能與高穩定性需求的電路設計要求。
