IGW50N60TP-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該IGBT模塊具備50A的集電極電流（Ic）與650V的集射極擊穿電壓（Vces），適合多種中高功率應用場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。內部續流二極管可支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備優良的熱穩定性與動態響應特性。模塊設計注重電氣隔離與散熱性能，適用于電力電子變換、智能能源管理及高效電源系統等場景，提供穩定可靠的開關控制能力。
