IGW50N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:50A 參數2:電壓VCE:650V 參數3:VCE(Sat):1.6V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A集電極電流(Ic)和650V集射極擊穿電壓(Vces),適用于多種中高功率電子系統。其1.6V的飽和壓降(VCE(sat))可有效減少導通損耗,提升轉換效率。內置二極管支持50A正向電流(IF),正向壓降(Vf)為1.85V,具備良好的導通特性和熱穩定性。模塊采用優化的封裝結構,兼顧散熱性能與電氣隔離,適用于電源變換器、智能電網設備、新能源控制系統等高性能場景,提供高效、可靠的開關解決方案。
