IGW50N65F5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率應用場景。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，有助于降低導通損耗，提高系統效率。內置二極管可承受50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的反向恢復特性。模塊采用高可靠封裝工藝，適用于電源變換、智能電網、新能源控制等領域，提供穩定高效的開關性能。
