RGTH00TS65GC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:50A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為高性能IGBT管/模塊,具備集電極電流(Ic)50A、集射極擊穿電壓(Vces)650V的優(yōu)良參數(shù)表現(xiàn)。在導(dǎo)通狀態(tài)下,集射極飽和電壓(VCE(sat))僅為1.6V,有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管可支持正向電流(IF)達50A,正向壓降(Vf)為1.85V。適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定電氣特性的多樣化場景,提供可靠的技術(shù)支持和運行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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